FDS9953A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDS9953A
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Livret des spécifications:	FDS9953A.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	85396 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 85396 pcs

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1 pcs: $0.393

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Spécifications de FDS9953A

Modèle de produit	FDS9953A	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	85396 pcs	Fiche technique	FDS9953A.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 1A, 10V
Puissance - Max	900mW	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	FDS9953ACT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	185pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	3.5nC @ 10V
type de FET	2 P-Channel (Dual)	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.9A 900mW Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.9A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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