FDU6N50TU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDU6N50TU
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 500V 6A IPAK
Livret des spécifications:	FDU6N50TU.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	67218 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 67218 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.516

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500 pcs: $0.281

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Spécifications de FDU6N50TU

Modèle de produit	FDU6N50TU	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 500V 6A IPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	67218 pcs	Fiche technique	FDU6N50TU.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	I-PAK
Séries	UniFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)	89W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	940pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	16.6nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	500V	Description détaillée	N-Channel 500V 6A (Tc) 89W (Tc) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	6A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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