FDU8870

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDU8870
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK
Livret des spécifications:	FDU8870.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3956 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3956 pcs

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Spécifications de FDU8870

Modèle de produit	FDU8870	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3956 pcs	Fiche technique	FDU8870.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-251
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 35A, 10V
Dissipation de puissance (max)	160W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5160pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	118nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	N-Channel 30V 21A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-251
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	21A (Ta), 160A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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