FJN3313RBU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FJN3313RBU
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Livret des spécifications:	FJN3313RBU.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5455 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5455 pcs

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Spécifications de FJN3313RBU

Modèle de produit	FJN3313RBU	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5455 pcs	Fiche technique	FJN3313RBU.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Package composant fournisseur	TO-92-3
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Résistance - Base (R1)	2.2 kOhms	Puissance - Max	300mW
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	250MHz
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
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