FJX3013RTF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FJX3013RTF
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Livret des spécifications:	FJX3013RTF.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3689 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3689 pcs

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Spécifications de FJX3013RTF

Modèle de produit	FJX3013RTF	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3689 pcs	Fiche technique	FJX3013RTF.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Package composant fournisseur	SOT-323
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Résistance - Base (R1)	2.2 kOhms	Puissance - Max	200mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SC-70, SOT-323
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	250MHz
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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