FJY4012R

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FJY4012R
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F
Livret des spécifications:	FJY4012R.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5311 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5311 pcs

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Spécifications de FJY4012R

Modèle de produit	FJY4012R	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5311 pcs	Fiche technique	FJY4012R.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	40V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type	PNP - Pre-Biased	Package composant fournisseur	SOT-523F
Séries	-	Résistance - Base (R1)	47 kOhms
Puissance - Max	200mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	SC-89, SOT-490	Autres noms	FJY4012RTR
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	200MHz
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-523F	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA
Numéro de pièce de base	FJY4012

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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