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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Modèle de produit | FQA13N50C-F109 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 500V 13.5A | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 31263 pcs | Fiche technique | FQA13N50C-F109.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-3PN |
| Séries | QFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 6.75A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 218W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-3P-3, SC-65-3 | Autres noms | FQA13N50C_F109 FQA13N50C_F109-ND FQA13N50CF109 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2055pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 500V |
| Description détaillée | N-Channel 500V 13.5A (Tc) 218W (Tc) Through Hole TO-3PN | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 13.5A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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