FQA6N90

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQA6N90
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
Livret des spécifications:	FQA6N90.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6533 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6533 pcs

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Spécifications de FQA6N90

Modèle de produit	FQA6N90	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6533 pcs	Fiche technique	FQA6N90.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-3P
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 3.2A, 10V
Dissipation de puissance (max)	198W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-3P-3, SC-65-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1880pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	900V	Description détaillée	N-Channel 900V 6.4A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3P
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	6.4A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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