FQB19N10TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQB19N10TM
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Livret des spécifications:	FQB19N10TM.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3105 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3105 pcs

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Spécifications de FQB19N10TM

Modèle de produit	FQB19N10TM	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3105 pcs	Fiche technique	FQB19N10TM.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D²PAK (TO-263AB)
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.75W (Ta), 75W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	780pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 19A (Tc) 3.75W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	19A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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