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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Modèle de produit | FQB7N60TM-WS | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 3282 pcs | Fiche technique | FQB7N60TM-WS.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
| Séries | QFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 3.7A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 3.13W (Ta), 142W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Autres noms | FQB7N60TM-WSTR FQB7N60TM_WS FQB7N60TM_WS-ND FQB7N60TM_WSTR FQB7N60TM_WSTR-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1430pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 7.4A (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 7.4A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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