FQB9N50CTM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQB9N50CTM
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Livret des spécifications:	FQB9N50CTM.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	54346 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 54346 pcs

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Spécifications de FQB9N50CTM

Modèle de produit	FQB9N50CTM	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	54346 pcs	Fiche technique	FQB9N50CTM.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D²PAK (TO-263AB)
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	135W (Tc)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	FQB9N50CTMFSDKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1030pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	500V
Description détaillée	N-Channel 500V 9A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	9A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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