FQD1N80TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQD1N80TM
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Livret des spécifications:	1.FQD1N80TM.pdf 2.FQD1N80TM.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	89243 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 89243 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.369

10 pcs: $0.322

100 pcs: $0.249

500 pcs: $0.184

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Spécifications de FQD1N80TM

Modèle de produit	FQD1N80TM	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 800V 1A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	89243 pcs	Fiche technique	1.FQD1N80TM.pdf 2.FQD1N80TM.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D-Pak
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 45W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	FQD1N80TMCT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	195pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.2nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	800V
Description détaillée	N-Channel 800V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D-Pak	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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