0 Item(s)
0 Item(s)
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Modèle de produit | FQD2N60CTM-WS | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 600V 1.9A | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 74703 pcs | Fiche technique | FQD2N60CTM-WS.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | D-Pak |
| Séries | QFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 Ohm @ 950mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) | Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Autres noms | FQD2N60CTM-WSDKR FQD2N60CTM_WSDKR FQD2N60CTM_WSDKR-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.9A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| UPS | www.UPS.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| TNT | www.TNT.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
