FQD6N50CTF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQD6N50CTF
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
Livret des spécifications:	1.FQD6N50CTF.pdf 2.FQD6N50CTF.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6882 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6882 pcs

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Spécifications de FQD6N50CTF

Modèle de produit	FQD6N50CTF	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6882 pcs	Fiche technique	1.FQD6N50CTF.pdf 2.FQD6N50CTF.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D-Pak
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 61W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	500V	Description détaillée	N-Channel 500V 4.5A (Tc) 2.5W (Ta), 61W (Tc) Surface Mount D-Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	4.5A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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