FQP3N80

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQP3N80
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
Livret des spécifications:	1.FQP3N80.pdf 2.FQP3N80.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3969 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3969 pcs

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Spécifications de FQP3N80

Modèle de produit	FQP3N80	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 800V 3A TO-220	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3969 pcs	Fiche technique	1.FQP3N80.pdf 2.FQP3N80.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220-3
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	107W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	690pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	800V	Description détaillée	N-Channel 800V 3A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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