FQPF3P50

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQPF3P50
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 500V 1.9A TO-220F
Livret des spécifications:	FQPF3P50.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3253 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3253 pcs

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Spécifications de FQPF3P50

Modèle de produit	FQPF3P50	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 500V 1.9A TO-220F	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3253 pcs	Fiche technique	FQPF3P50.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220F
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9 Ohm @ 950mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	39W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V	type de FET	P-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	500V	Description détaillée	P-Channel 500V 1.9A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.9A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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