FQPF8P10

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQPF8P10
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 100V 5.3A TO-220F
Livret des spécifications:	FQPF8P10.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5274 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5274 pcs

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Spécifications de FQPF8P10

Modèle de produit	FQPF8P10	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 100V 5.3A TO-220F	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5274 pcs	Fiche technique	FQPF8P10.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220F
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	530 mOhm @ 2.65A, 10V
Dissipation de puissance (max)	28W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V	type de FET	P-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	P-Channel 100V 5.3A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	5.3A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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