FQU6P25TU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQU6P25TU
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 250V 4.7A IPAK
Livret des spécifications:	FQU6P25TU.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5554 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5554 pcs

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Spécifications de FQU6P25TU

Modèle de produit	FQU6P25TU	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 250V 4.7A IPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5554 pcs	Fiche technique	FQU6P25TU.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	I-PAK
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 2.35A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 55W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	780pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V	type de FET	P-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	250V	Description détaillée	P-Channel 250V 4.7A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	4.7A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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