HUF76619D3ST

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	HUF76619D3ST
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Livret des spécifications:	HUF76619D3ST.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4344 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4344 pcs

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Spécifications de HUF76619D3ST

Modèle de produit	HUF76619D3ST	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 100V 18A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4344 pcs	Fiche technique	HUF76619D3ST.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-252AA
Séries	UltraFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (max)	75W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	767pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 18A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	18A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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