HUFA76407D3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	HUFA76407D3
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Livret des spécifications:	HUFA76407D3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	2866 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2866 pcs

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Spécifications de HUFA76407D3

Modèle de produit	HUFA76407D3	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 60V 12A IPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	2866 pcs	Fiche technique	HUFA76407D3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-251AA
Séries	UltraFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	92 mOhm @ 13A, 10V
Dissipation de puissance (max)	38W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	11.3nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	60V	Description détaillée	N-Channel 60V 12A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-251AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	12A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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