HUFA76413DK8T

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	HUFA76413DK8T
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
Livret des spécifications:	HUFA76413DK8T.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	2702 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2702 pcs

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Spécifications de HUFA76413DK8T

Modèle de produit	HUFA76413DK8T	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	2702 pcs	Fiche technique	HUFA76413DK8T.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	UltraFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	49 mOhm @ 5.1A, 10V
Puissance - Max	2.5W	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	HUFA76413DK8TDKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	620pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
type de FET	2 N-Channel (Dual)	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	60V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.1A 2.5W Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	5.1A

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Après vente
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