IRFM120ATF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRFM120ATF
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
Livret des spécifications:	1.IRFM120ATF.pdf 2.IRFM120ATF.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	294200 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 294200 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de IRFM120ATF

Modèle de produit	IRFM120ATF	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	294200 pcs	Fiche technique	1.IRFM120ATF.pdf 2.IRFM120ATF.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-223-4
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 1.15A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.4W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-261-4, TO-261AA	Autres noms	IRFM120ATFTR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	N-Channel 100V 2.3A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount SOT-223-4	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.3A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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