IRFR420BTM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRFR420BTM
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
Livret des spécifications:	IRFR420BTM.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5359 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5359 pcs

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Spécifications de IRFR420BTM

Modèle de produit	IRFR420BTM	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5359 pcs	Fiche technique	IRFR420BTM.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D-Pak
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6 Ohm @ 1.15A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 41W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	610pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	500V	Description détaillée	N-Channel 500V 2.3A (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount D-Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.3A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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