IRLW510ATM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRLW510ATM
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
Livret des spécifications:	IRLW510ATM.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4674 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4674 pcs

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Spécifications de IRLW510ATM

Modèle de produit	IRLW510ATM	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4674 pcs	Fiche technique	IRLW510ATM.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	I2PAK (TO-262)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	440 mOhm @ 2.8A, 5V
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 37W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	235pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 5V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	5V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 5.6A (Tc) 3.8W (Ta), 37W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	5.6A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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