MBD110DWT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MBD110DWT1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	DIODE SCHOTTKY DUAL 7V SOT-363
Livret des spécifications:	MBD110DWT1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5498 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5498 pcs

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Spécifications de MBD110DWT1G

Modèle de produit	MBD110DWT1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	DIODE SCHOTTKY DUAL 7V SOT-363	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5498 pcs	Fiche technique	MBD110DWT1G.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	7V	Package composant fournisseur	SC-88/SC70-6/SOT-363
Séries	-	Résistance @ Si, F	-
Dissipation de puissance (max)	120mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Température de fonctionnement	-55°C ~ 125°C (TJ)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type de diode	Schottky - 2 Independent	Description détaillée	RF Diode Schottky - 2 Independent 7V 120mW SC-88/SC70-6/SOT-363
Capacité à Vr, F	1pF @ 0V, 1MHz

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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