MBR8H100MFST1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MBR8H100MFST1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN
Livret des spécifications:	MBR8H100MFST1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	425878 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 425878 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de MBR8H100MFST1G

Modèle de produit	MBR8H100MFST1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	425878 pcs	Fiche technique	MBR8H100MFST1G.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	900mV @ 8A	Tension - inverse (Vr) (max)	100V
Package composant fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)	La vitesse	Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries	-	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerTDFN, 5 Leads	Autres noms	MBR8H100MFST1G-ND MBR8H100MFST1GOSTR
Température d'utilisation - Jonction	-55°C ~ 175°C	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type de diode	Schottky	Description détaillée	Diode Schottky 100V 8A Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Courant - fuite, inverse à Vr	2µA @ 100V	Courant - Rectifié moyenne (Io)	8A
Capacité à Vr, F	-

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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