MBT3906DW1T1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MBT3906DW1T1
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
Livret des spécifications:	MBT3906DW1T1.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	4624 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4624 pcs

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Spécifications de MBT3906DW1T1

Modèle de produit	MBT3906DW1T1	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	4624 pcs	Fiche technique	MBT3906DW1T1.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	40V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type	2 PNP (Dual)	Package composant fournisseur	SC-88/SC70-6/SOT-363
Séries	-	Puissance - Max	150mW
Emballage	Cut Tape (CT)	Package / Boîte	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms	MBT3906DW1T1OSCT	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Fréquence - Transition	250MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 200mA 250MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 1V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	-	Courant - Collecteur (Ic) (max)	200mA
Numéro de pièce de base	MBT3906D

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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