MGSF1N02LT1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MGSF1N02LT1
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23
Livret des spécifications:	MGSF1N02LT1.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	2937 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2937 pcs

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Spécifications de MGSF1N02LT1

Modèle de produit	MGSF1N02LT1	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	2937 pcs	Fiche technique	MGSF1N02LT1.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 1.2A, 10V
Dissipation de puissance (max)	400mW (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Autres noms	MGSF1N02LT1OSCT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	125pF @ 5V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	20V	Description détaillée	N-Channel 20V 750mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	750mA (Ta)

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Après vente
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