MJ11016

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MJ11016
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN DARL 120V 30A TO3
Livret des spécifications:	MJ11016.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	3075 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3075 pcs

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Spécifications de MJ11016

Modèle de produit	MJ11016	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN DARL 120V 30A TO3	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	3075 pcs	Fiche technique	MJ11016.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	120V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	4V @ 300mA, 30A
Transistor Type	NPN - Darlington	Package composant fournisseur	TO-204 (TO-3)
Séries	-	Puissance - Max	200W
Emballage	Tray	Package / Boîte	TO-204AA, TO-3
Autres noms	MJ11016OS	Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Fréquence - Transition	4MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-204 (TO-3)	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 20A, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	1mA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	30A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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