MJD112-1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MJD112-1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Livret des spécifications:	MJD112-1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	130943 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 130943 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.239

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525 pcs: $0.12

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Spécifications de MJD112-1G

Modèle de produit	MJD112-1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	130943 pcs	Fiche technique	MJD112-1G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	100V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3V @ 40mA, 4A
Transistor Type	NPN - Darlington	Package composant fournisseur	I-PAK
Séries	-	Puissance - Max	1.75W
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms	MJD112-1GOS MJD1121G	Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	25MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-PAK	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 2A, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	20µA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	2A
Numéro de pièce de base	MJD112

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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