MJD122T4

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MJD122T4
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Livret des spécifications:	MJD122T4.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	3850 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3850 pcs

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Spécifications de MJD122T4

Modèle de produit	MJD122T4	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	3850 pcs	Fiche technique	MJD122T4.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	100V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	4V @ 80mA, 8A
Transistor Type	NPN - Darlington	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	-	Puissance - Max	1.75W
Emballage	Cut Tape (CT)	Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms	MJD122T4OSCT	Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Fréquence - Transition	4MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 4MHz 1.75W Surface Mount DPAK	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 4A, 4V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	10µA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	8A
Numéro de pièce de base	MJD122

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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