MJD18002D2T4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MJD18002D2T4G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN 450V 2A DPAK
Livret des spécifications:	MJD18002D2T4G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4425 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4425 pcs

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Spécifications de MJD18002D2T4G

Modèle de produit	MJD18002D2T4G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN 450V 2A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4425 pcs	Fiche technique	MJD18002D2T4G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	450V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	750mV @ 200mA, 1A
Transistor Type	NPN	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	-	Puissance - Max	50W
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms	MJD18002D2T4G-ND MJD18002D2T4GOSTR	Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	13MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 2A 13MHz 50W Surface Mount DPAK	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	6 @ 1A, 1V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100µA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	2A
Numéro de pièce de base	MJD18002

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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