MJE271

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MJE271
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS PNP DARL 100V 2A TO-225
Livret des spécifications:	MJE271.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	4189 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4189 pcs

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Spécifications de MJE271

Modèle de produit	MJE271	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS PNP DARL 100V 2A TO-225	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	4189 pcs	Fiche technique	MJE271.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	100V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3V @ 1.2mA, 120mA
Transistor Type	PNP - Darlington	Package composant fournisseur	TO-225AA
Séries	-	Puissance - Max	1.5W
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-225AA, TO-126-3
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition	6MHz	Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 6MHz 1.5W Through Hole TO-225AA
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1500 @ 120mA, 10V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	1mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	2A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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