MJE4353G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MJE4353G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS PNP 160V 16A TO218
Livret des spécifications:	MJE4353G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3087 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3087 pcs

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Spécifications de MJE4353G

Modèle de produit	MJE4353G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS PNP 160V 16A TO218	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3087 pcs	Fiche technique	MJE4353G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	160V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3.5V @ 2A, 16A
Transistor Type	PNP	Package composant fournisseur	SOT-93
Séries	-	Puissance - Max	125W
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-218-3
Autres noms	MJE4353GOS	Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	1MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor PNP 160V 16A 1MHz 125W Through Hole SOT-93	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	15 @ 8A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	750µA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	16A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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