MJE802G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MJE802G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
Livret des spécifications:	MJE802G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	135740 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 135740 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de MJE802G

Modèle de produit	MJE802G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	135740 pcs	Fiche technique	MJE802G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	80V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.5V @ 30mA, 1.5A
Transistor Type	NPN - Darlington	Package composant fournisseur	TO-225AA
Séries	-	Puissance - Max	40W
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-225AA, TO-126-3
Autres noms	MJE802GOS	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	-
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 1.5A, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100µA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	4A
Numéro de pièce de base	MJE802

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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