MMBTA13LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MMBTA13LT1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
Livret des spécifications:	MMBTA13LT1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	2358919 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2358919 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

3000 pcs: $0.013

6000 pcs: $0.012

15000 pcs: $0.011

30000 pcs: $0.009

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150000 pcs: $0.007

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Spécifications de MMBTA13LT1G

Modèle de produit	MMBTA13LT1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	2358919 pcs	Fiche technique	MMBTA13LT1G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	30V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 100µA, 100mA
Transistor Type	NPN - Darlington	Package composant fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Séries	-	Puissance - Max	225mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms	MMBTA13LT1GOS MMBTA13LT1GOS-ND MMBTA13LT1GOSTR	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	125MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 300mA 125MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10000 @ 100mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Courant - Collecteur (Ic) (max)	300mA
Numéro de pièce de base	MMBTA13

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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