MMDF2C03HDR2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MMDF2C03HDR2
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Livret des spécifications:	MMDF2C03HDR2.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	57305 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 57305 pcs

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Spécifications de MMDF2C03HDR2

Modèle de produit	MMDF2C03HDR2	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	57305 pcs	Fiche technique	MMDF2C03HDR2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Package composant fournisseur	8-SOIC
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 3A, 10V
Puissance - Max	2W	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	MMDF2C03HDR2OSCT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	630pF @ 24V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
type de FET	N and P-Channel	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	4.1A, 3A	Numéro de pièce de base	MMDF2C03HD

Mode de transport
Après vente
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