| Modèle de produit | MMUN2114LT1G | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 3854541 pcs | Fiche technique | MMUN2114LT1G.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased | Package composant fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
| Séries | - | Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 10 kOhms | Puissance - Max | 246mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms | MMUN2114LT1GOS MMUN2114LT1GOS-ND MMUN2114LT1GOSTR |
Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| Numéro de pièce de base | MMUN21**L |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
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