MMUN2231LT1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MMUN2231LT1
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
Livret des spécifications:	MMUN2231LT1.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	3734 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3734 pcs

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Spécifications de MMUN2231LT1

Modèle de produit	MMUN2231LT1	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	3734 pcs	Fiche technique	MMUN2231LT1.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Package composant fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	2.2 kOhms
Résistance - Base (R1)	2.2 kOhms	Puissance - Max	246mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	8 @ 5mA, 10V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA	Numéro de pièce de base	MMUN22**L

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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