MUN5111DW1T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MUN5111DW1T1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Livret des spécifications:	MUN5111DW1T1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	417204 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 417204 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.088

10 pcs: $0.071

100 pcs: $0.037

500 pcs: $0.025

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Spécifications de MUN5111DW1T1G

Modèle de produit	MUN5111DW1T1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	417204 pcs	Fiche technique	MUN5111DW1T1G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type	2 PNP - Pre-Biased (Dual)	Package composant fournisseur	SC-88/SC70-6/SOT-363
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	10 kOhms
Résistance - Base (R1)	10 kOhms	Puissance - Max	250mW
Emballage	Cut Tape (CT)	Package / Boîte	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms	MUN5111DW1T1GOSCT	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	-	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	35 @ 5mA, 10V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA	Numéro de pièce de base	MUN51**DW1T

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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