MUN5214T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MUN5214T1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
Livret des spécifications:	MUN5214T1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4266587 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4266587 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

3000 pcs: $0.009

6000 pcs: $0.008

15000 pcs: $0.007

30000 pcs: $0.006

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150000 pcs: $0.005

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Spécifications de MUN5214T1G

Modèle de produit	MUN5214T1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4266587 pcs	Fiche technique	MUN5214T1G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Package composant fournisseur	SC-70-3 (SOT323)
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Résistance - Base (R1)	10 kOhms	Puissance - Max	202mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SC-70, SOT-323
Autres noms	MUN5214T1GOS MUN5214T1GOS-ND MUN5214T1GOSTR	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA
Numéro de pièce de base	MUN52**T

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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