NCD5701BDR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NCD5701BDR2G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
Livret des spécifications:	NCD5701BDR2G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	47365 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 47365 pcs

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1 pcs: $0.681

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Spécifications de NCD5701BDR2G

Modèle de produit	NCD5701BDR2G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	47365 pcs	Fiche technique	NCD5701BDR2G.pdf
Tension - Alimentation	20V	Package composant fournisseur	8-SOIC
Séries	NCD5701	Rise / Fall Time (Typ)	18ns, 19ns
Emballage	Cut Tape (CT)	Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms	NCD5701BDR2GOSCT	Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Nombre de conducteurs	1	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Tension logique - VIL, VIH	-
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	-
Type de porte	IGBT	Configuration pilotée	Low-Side
Description détaillée	Low-Side Gate Driver IC 8-SOIC	Current - Peak Output (Source, Évier)	7.8A, 6.8A
courant de charge	Single

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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