NDS336P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NDS336P
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 20V 1.2A SSOT3
Livret des spécifications:	1.NDS336P.pdf 2.NDS336P.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3930 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3930 pcs

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Spécifications de NDS336P

Modèle de produit	NDS336P	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 20V 1.2A SSOT3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3930 pcs	Fiche technique	1.NDS336P.pdf 2.NDS336P.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SuperSOT-3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	500mW (Ta)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Autres noms	NDS336PDKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.5nC @ 4.5V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.7V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	P-Channel 20V 1.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.2A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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