NGTD8R65F2WP

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NGTD8R65F2WP
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	DIODE GEN PURP 650V DIE
Livret des spécifications:	NGTD8R65F2WP.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	177744 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 177744 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de NGTD8R65F2WP

Modèle de produit	NGTD8R65F2WP	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	DIODE GEN PURP 650V DIE	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	177744 pcs	Fiche technique	NGTD8R65F2WP.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	2.8V @ 30A	Tension - inverse (Vr) (max)	650V
Package composant fournisseur	Die	La vitesse	-
Séries	-	Emballage	Bulk
Package / Boîte	Die	Température d'utilisation - Jonction	175°C (Max)
Type de montage	Surface Mount	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type de diode	Standard	Description détaillée	Diode Standard 650V Surface Mount Die
Courant - fuite, inverse à Vr	1µA @ 650V	Courant - Rectifié moyenne (Io)	-
Capacité à Vr, F	-

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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