NJVMJD350T4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NJVMJD350T4G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS PNP 300V 0.5A DPAK-4
Livret des spécifications:	NJVMJD350T4G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	122306 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 122306 pcs

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Spécifications de NJVMJD350T4G

Modèle de produit	NJVMJD350T4G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS PNP 300V 0.5A DPAK-4	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	122306 pcs	Fiche technique	NJVMJD350T4G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	300V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 10mA, 100mA
Transistor Type	PNP	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	-	Puissance - Max	1.56W
Emballage	Cut Tape (CT)	Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms	NJVMJD350T4GOSCT	Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	10MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 50mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100µA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	500mA
Numéro de pièce de base	MJD350

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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