NJW44H11G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NJW44H11G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN 80V 10A TO-3P
Livret des spécifications:	NJW44H11G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	51825 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 51825 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.653

30 pcs: $0.553

120 pcs: $0.471

510 pcs: $0.387

1020 pcs: $0.321

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Spécifications de NJW44H11G

Modèle de produit	NJW44H11G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN 80V 10A TO-3P	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	51825 pcs	Fiche technique	NJW44H11G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	80V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 400mA, 8A
Transistor Type	NPN	Package composant fournisseur	TO-3P-3L
Séries	-	Puissance - Max	120W
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-3P-3, SC-65-3
Autres noms	NJW44H11G-ND NJW44H11GOS	Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	85MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 85MHz 120W Through Hole TO-3P-3L	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 4A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	10µA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	10A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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