NSR10F30QNXT5G

ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NSR10F30QNXT5G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN
Livret des spécifications:	NSR10F30QNXT5G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	869081 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 869081 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de NSR10F30QNXT5G

Modèle de produit	NSR10F30QNXT5G	Fabricant	ON Semiconductor
La description	DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	869081 pcs	Fiche technique	NSR10F30QNXT5G.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Schottky	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1A (DC)
Tension - Ventilation	2-DSN (1.4x0.6)	Séries	-
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Temps de recouvrement inverse (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	2-XDFN
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	NSR10F30QNXT5G	Description élargie	Diode Schottky 30V 1A (DC) Surface Mount 2-DSN (1.4x0.6)
Configuration diode	100µA @ 30V	La description	DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN
Courant - fuite, inverse à Vr	470mV @ 1A	Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	30V
Capacité à Vr, F	-55°C ~ 125°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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