NSS12601CF8T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NSS12601CF8T1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN 12V 6A 1206A CHIPFET
Livret des spécifications:	NSS12601CF8T1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	373843 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 373843 pcs

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Spécifications de NSS12601CF8T1G

Modèle de produit	NSS12601CF8T1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN 12V 6A 1206A CHIPFET	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	373843 pcs	Fiche technique	NSS12601CF8T1G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	12V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	120mV @ 400mA, 4A
Transistor Type	NPN	Package composant fournisseur	ChipFET™
Séries	-	Puissance - Max	830mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	8-SMD, Flat Lead
Autres noms	NSS12601CF8T1GOSTR	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	140MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 6A 140MHz 830mW Surface Mount ChipFET™	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 1A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Courant - Collecteur (Ic) (max)	6A
Numéro de pièce de base	NSS12601

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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