NSTB1002DXV5T1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NSTB1002DXV5T1
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
Livret des spécifications:
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	3174 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3174 pcs

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Spécifications de NSTB1002DXV5T1

Modèle de produit	NSTB1002DXV5T1	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	3174 pcs	Fiche technique
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V, 40V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP	Package composant fournisseur	SOT-553
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Résistance - Base (R1)	47 kOhms	Puissance - Max	500mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SOT-553
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Fréquence - Transition	250MHz
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 200mA 250MHz 500mW Surface Mount SOT-553	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA, 200mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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