NSV12200LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NSV12200LT1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS PNP 12V 2A SOT23
Livret des spécifications:	NSV12200LT1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	488359 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 488359 pcs

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Spécifications de NSV12200LT1G

Modèle de produit	NSV12200LT1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS PNP 12V 2A SOT23	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	488359 pcs	Fiche technique	NSV12200LT1G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	12V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	180mV @ 200mA, 2A
Transistor Type	PNP	Package composant fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Séries	Automotive, AEC-Q101	Puissance - Max	540mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	100MHz	Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 2A 100MHz 540mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	250 @ 500mA, 2V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)	2A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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